產品詳情

Created with Pixso. 主页 Created with Pixso. 产品 Created with Pixso.
复合式镀膜设备
Created with Pixso.

RT1200-FCEV

RT1200-FCEV

Brand Name: 永容科技
Model Number: RT1200-FCEV
MOQ: 1
Payment Terms: T/T
Supply Ability: 5台/月
详细信息
原产地:
上海, 中国
认证:
CE
应用:
氢燃料电池汽车,光电产品,航空航天等新能源产业.
膜层:
C-碳基膜, 润滑膜,耐腐蚀性膜
设备结构:
立式,前后双开门,多面体, 转架可整体推进推出
技术:
平衡/非平衡闭合磁场磁控溅射, PECVD离子源辅助沉积
供货能力:
5台/月
Product Description



FCEV是燃料电池汽车的简称,它是一种最新技术的绿色环保节能汽车.不同于干电池和需要重复充电的可充电电池,其核心技术是如何通过氢气与氧气之间的电化学反应,利用燃料电池的功率模块产生电能.通过科学家,汽车制造商的工程师及技术人员经过多次的测试与反复验证,最终开发出了适当的加工工艺.



在过去的几年里,永容科技一直与客户紧密合作,成功地设计和制造了高产能,商业化,标准化的溅射沉积系统.我们相信这项技术将为氢能源燃料电池动力汽车的发展起到至关重要的作用。


RT1200-FCEV 0


FCEV1213镀膜机是一种单体式磁控溅射系统,可在金属和非金属材料基片上沉积各种硬质涂层,软涂层,复合膜和固体润滑膜.
主要应用于氢燃料电池汽车,光电产品,航空航天等新能源产业.



膜层特征:


1. 提高表面电导率;


2. 高耐蚀性;


3. 高耐磨性;


4. 高硬度


5. 疏水性复合膜及其它功能膜


6. 适用于复合涂层:金属和非金属薄膜.


7. 薄膜厚度范围从100nm到12μm,厚度公差±5%


8. 附着力强.



RT1200-FCEV 1


设备特征


立式,多面体结构,双开门(方便转架推进,推出,提高生产效率),双转架系统.



设备优势:


1. 环保型镀膜设备 


2. 操作简单: IPC工控系统, 永容开发软件程序, 80%以上的故障排除报警.


3. 高度可重复性和多样性.


4. 专用转架设计结构,薄膜沉积均匀度高.


5. 生产效率高,镀膜良品率高


6. 稳定可靠的系统,运行365天*24小时(维修保养时间除外)


7. 高效泵系统:采用欧洲品牌泵,合理的真空管道布局,缩短抽真空时间


8. 紧凑型设计,占用最小的安装空间


技术规范

 RT1200-FCEV镀膜设备是一种单体式PVD与PECVD复合式磁控溅射沉积系统.

此设备采用非平衡磁控溅射闭合磁场, 可在金属和非金属材料基片上沉积各种硬质涂层,软涂层,复合膜和固体润滑膜.

1. PVD
1.1 非平衡磁控溅射原理:

在非平衡磁控溅射技术中,通过让磁控阴极外磁极磁通大于内磁极,使两极磁力线在靶面不完全闭合,部分磁力线可沿靶的边缘延伸到基片区域,从而部分电子可以沿着磁力线扩展到基片,增加基片区域的等离子体密度和气体电离率。
而闭合磁场非平衡磁控溅射则是在此基础上,采用相邻磁极相反的多靶结构,使得在镀膜区域的纵向磁场是闭合的,只要磁场强度足够,电子就只能在镀膜区域和两个靶之间运动,避免了电子的损失,从而增加了镀膜区域的离子浓度,大幅度提高了溅射效率。
1.2 非平衡磁控溅射优点
提高薄膜质量:由于等离子体密度增加,溅射出来的原子和粒子在飞向基体表面的过程中,受到更多的离子轰击和能量传递,使得薄膜更加致密、均匀,与基体的结合力更强。例如在制备硬质耐磨薄膜时,可显著提高薄膜的硬度和耐磨性。

提高沉积速率:更多的电子参与电离和溅射过程,使得靶材的溅射效率提高,从而加快了薄膜的沉积速率,缩短了镀膜时间,提高了生产效率。比如在大规模工业生产中,可有效降低生产成本。

可制备复杂成分薄膜:可以通过调整靶材的种类、数量以及反应气体的种类和流量等参数,精确控制薄膜的成分和结构,制备出各种具有特殊性能的复合薄膜或多层薄膜,满足不同应用场景的需求。如制备具有特定光学、电学或磁学性能的功能薄膜。

良好的绕镀性:能够在复杂形状的基底上实现较为均匀的薄膜沉积,对于具有高深宽比结构或复杂几何形状的工件,也可以较好地覆盖其表面,确保薄膜的一致性和完整性。

2. PECVD)-等离子体增强化学气相沉积 

2.1 PECVD 设备在制备双极板薄膜时,利用等离子体来激活反应气体,使反应能够在较低的温度下进行。在制备碳基薄膜等方面有独特的优势,比如可以在双极板表面沉积类金刚石(DLC)薄膜,这种薄膜具有良好的导电性和优异的抗腐蚀性,同时还能降低双极板与电极之间的接触电阻。

 

2.2  PECVD 技术相比其它镀膜技术的优势主要有以下几点:

2.2.1 与物理气相沉积(PVD)技术相比

沉积温度PVD 技术通常需要较高的温度来实现材料的蒸发或溅射,而 PECVD 可以在相对较低的温度下进行薄膜沉积,一般在 100℃到 400℃左右,对基体的热影响小,适用于温度敏感材料,如塑料、柔性电子器件和有机基材等。

薄膜均匀性PVD 技术制备的薄膜均匀性稍差,而 PECVD 技术中,等离子体的存在促进了反应物质的扩散和沉积,所得薄膜通常具有更好的均匀性和致密性,针孔较少,不易龟裂,适用于要求高质量薄膜的应用。

薄膜成分和结构控制PECVD 可以通过精确控制反应气体的种类、流量、等离子体功率等参数,实现对薄膜成分和结构的更精准控制,从而制备出具有特定性能的薄膜,如在制备氮化硅薄膜时,可通过调整工艺参数获得不同化学计量比和性能的氮化硅膜。PVD 在这方面的控制精度相对较低。

绕镀性PECVD 的绕镀性能良好,能够在复杂形状的基底上实现较为均匀的薄膜沉积,对于具有高深宽比结构或复杂几何形状的工件,PECVD 可以更好地覆盖其表面。而 PVD 技术在这方面可能存在一定的局限性,对于一些复杂形状的物体,可能无法实现均匀的镀膜。

2.2.2 与传统化学气相沉积(CVD)技术相比

 

· 沉积温度:传统 CVD 技术往往需要较高的温度来驱动化学反应,使气态物质在基体表面发生反应并沉积成膜,这可能会对基体材料的性能产生影响,限制了其在一些对温度敏感材料上的应用。而 PECVD 利用等离子体中的高能电子来激发和促进化学反应,降低了反应所需的温度,可在较低温度下进行薄膜沉积。

· 沉积速率PECVD 由于等离子体的激活作用,反应速率显著提高,比常规 CVD 具有更高的沉积速率,可以实现快速大面积薄膜生长,从而提高生产效率,降低生产成本,尤其适用于大规模工业生产。

技术参数

设备型号:  RT1200-FCEV

腔体高度 (mm): 1300

腔体直径(mm): φ1200

镀膜腔体门:   2套, 前后各1套

磁控溅射阴极安装法兰座:  6支+ 1 支 离子源

行星转架:   24 xΦ120mm

膜沉积电源: DC直流磁控溅射 + 负偏压等离子体

最大有效沉积区域高度(mm):  850

真空泵组

磁悬浮分子泵:  2 x 2200L/S

罗茨泵Roots Pump: 1 x  1000m³/h

        前级机械泵:  1 x 300m³/h

        维持泵:  1 x 60m³/h

可沉积基材尺寸 (mm):  420 x 120 / 450 x 250 / 440 x 140/ 297 x 210
装载量:   40 ~ 80 , 取决于基片尺寸

占地面积: ( L x W x H) mm:  3000*4000*3200

 

安装现场

设备型号: FCEV1200
项目时间:  2016
项目地点: Shanghai
应用领域氢能源燃料电动汽车双极板,

应用技术: PVD磁控溅射(平衡与非平衡闭合磁场)+ PECVD等离子加强辅助沉积


上海永容光电科技可以提供交钥匙服务:提供技术支持和镀膜工艺的培训. 如您有任何技术方面的咨询,请联系我们!期待与您的合作!